STMicro veut créer une coentreprise en Chine avec Sanan
Les deux groupes comptent construire une usine de production de composants en carbure de silicium pour un coût total supérieur à 3 milliards de dollars.
Une usine STMicroelectronics.
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Crédit STMicroelectronics.
Les fabricants de semi-conducteurs STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics ont annoncé mercredi la signature d’un accord en vue de la création d’une coentreprise en Chine dédiée à la production de composants en carbure de silicium (SiC) de 200 millimètres de diamètre.
Leur usine, qui se situera dans la ville de Chongqing, devrait entrer en production au quatrième trimestre de 2025, avant d’atteindre sa pleine capacité en 2028, afin de soutenir la demande croissante en Chine pour l'électrification automobile ainsi que pour les applications d'énergie et de puissance pour l’industriel.
La coentreprise produira des composants SiC exclusivement pour STMicroelectronics, en utilisant la technologie propriétaire du groupe franco-italien pour les procédés de fabrication. Elle servira aussi de fonderie dédiée à STMicroelectronics pour répondre à la demande de ses clients chinois.
2,4 milliards en cinq ans
Le montant total nécessaire pour atteindre la pleine capacité de la coentreprise devrait s'élever à environ 3,2 milliards de dollars, dont des dépenses d’investissement d’environ 2,4 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années, ont indiqué les deux partenaires dans un communiqué. Ce montant sera financé par des contributions de STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics, par un soutien du gouvernement local ainsi que par des prêts accordés à la coentreprise, ont-ils ajouté.
La finalisation de ce projet est soumise à l’obtention des autorisations réglementaires.
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