Defiance ETFs lance en Europe un ETF dédié aux puces mémoire
Defiance ETFs a lancé le Defiance Memory UCITS ETF (ticker : DRAM), qu’il assure être le premier fonds coté en Bourse européen entièrement dédié aux puces mémoire. Le fonds cible les sociétés impliquées dans le développement, la fabrication, la commercialisation et le stockage des semi-conducteurs de mémoire et des systèmes de stockage de données.
Le lancement a été réalisé en partenariat avec HANetf, plateforme européenne de fonds en marque blanche, et le fonds est juridiquement domicilié en Irlande. Il est coté sur Xetra et la Borsa Italiana, avec une cotation sur le London Stock Exchange prévue prochainement. Son ratio de frais totaux (TER) est de 0,69 %.
Il s’agit du quatrième lancement de Defiance sur le marché européen des OPCVM depuis son entrée cette année, après les ETF AIPO (infrastructures IA et énergie), UKRN (reconstruction ukrainienne) et DRON (drones).
Un choc de demande structurel porté par l’IA
Le lancement intervient dans un contexte de tension inédite sur les marchés de la mémoire. La demande liée à l’intelligence artificielle, au cloud computing et aux centres de données absorbe une part croissante de la capacité de mémoire avancée disponible, tandis que les principaux fabricants réorientent leurs lignes de production vers les segments à plus forte marge, mémoire à haute bande passante (HBM) et DRAM pour serveurs, au détriment des applications grand public.
En effet, les modèles complexes qui sous-tendent l’IA générative nécessitent des quantités colossales de mémoire à haute vitesse pour leur entraînement et leur fonctionnement, faisant des puces mémoire une ressource stratégique et de plus en plus rare.
Chaque nouvelle génération d’accélérateurs, des unités de traitement graphique Nvidia aux puces ASIC développées en interne par les hyperscalers, exige des volumes de mémoire HBM nettement supérieurs à la génération précédente, sans que l’offre ne soit en mesure de suivre à court terme.
Selon une analyse de JEDEC, l’organisme de normalisation régissant les spécifications HBM, la croissance de la demande de 130 % en 2025 et de 70 % en 2026 a maintenu l’offre sous tension tout au long de cette période, sous l’effet de la généralisation de l’IA générative, des grands modèles de langage et des accélérateurs GPU nécessitant une bande passante mémoire sans précédent.
L’entraînement et l’inférence en IA/ML représentent à eux seuls plus de 55 % de la demande totale de mémoire HBM en 2026. Les accélérateurs GPU modernes, tels que les séries NVIDIA H200 et AMD MI350, nécessitent une bande passante, que seule la HBM peut satisfaire à l'échelle industrielle.
« La mémoire est la couche fondamentale de l'économie de l’IA », a commenté Sylvia Jablonski, directrice des investissements de Defiance ETFs. « Chaque entraînement de modèle, chaque charge de travail d’inférence et chaque extension de centre de données hyperscale repose sur la DRAM, la HBM et le stockage avancé. La DRAM offre aux investisseurs européens un accès direct et réglementé à ce segment de la chaîne de valeur de l’IA. »
Selon Gartner, les prix de la DRAM et des disques SSD pourraient progresser jusqu'à 130 % d’ici la fin de l’année 2026. Les données de TrendForce montrent que cette flambée est déjà bien amorcée : les prix contractuels de la DRAM conventionnelle ont bondi de 90 à 95 % au premier trimestre, avec une nouvelle hausse de 58 à 63 % attendue au deuxième trimestre.
Au cœur de cette dynamique se trouve la mémoire HBM, composant critique des accélérateurs d’IA haute performance, à commencer par la plateforme Blackwell de Nvidia, massivement déployée par les hyperscalers Microsoft, Google, Meta et Amazon.
Ainsi, la puce HBM est devenue le principal goulot d'étranglement du déploiement des infrastructures d’IA. En conséquence, les principaux fabricants de mémoire, tels que Samsung et SK Hynix, réorientent leurs lignes de production, délaissant les puces grand public au profit de la HBM, plus rentable, et de la DRAM pour serveurs.
Counterpoint Research prévoit que la mémoire pour serveurs représentera 56 % du chiffre d’affaires total du marché de la mémoire en 2026, contre 37 % en 2025.
Un supercycle sur l’ensemble de la filière
D’après les statistiques mondiales du commerce des semi-conducteurs (WSTS), le marché mondial des semi-conducteurs devrait croître de plus de 25 % en 2026 par rapport à l’année précédente, pour atteindre environ 975 milliards de dollars, le segment de la mémoire affichant une croissance de 30 %.
Bank of America qualifie 2026 de « supercycle comparable au boom des années 1990 », avec une progression attendue des revenus DRAM mondiaux de 51 % et du NAND de 45 % en glissement annuel, les prix de vente moyens progressant respectivement de 33 % et 26 %.
BofA estime le marché HBM 2026 à 54,6 milliards de dollars, soit une hausse de 58 % sur un an, et Goldman Sachs anticipe que la demande de HBM pour les puces ASIC d’IA sur commande bondira de 82 %, représentant un tiers du marché total.
L’année 2026 est considérée comme celle où la mémoire HBM3E s’imposera comme la référence du marché, tandis que la mémoire HBM4 et les mémoires à usage général traceront la voie de la croissance à moyen et long terme.
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