Tuttle Capital introduit sur la Bourse américaine un ETF dédié à la mémoire IA

Tuttle Capital Management annonce le lancement aux Etats-Unis du Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF, coté sur le Cboe sous le ticker HBMX.

L’univers couvert va des fabricants de mémoire dynamique (DRAM), mémoire flash (NAND), et de mémoire à large bande passante (HBM) aux entreprises de conditionnement avancé, d’assemblage externalisé (OSAT), de matériaux et d'équipements d’inspection et de test.

Le fonds, à gestion active procède à une sélection d’actions sur base fondamentale et thématique, autour d’un portefeuille concentré de 20 à 35 lignes, avec des frais de gestion de 0,95 %. Le gestionnaire prend à sa charge le reste des frais opérationnels annexes, audit, comptabilité, frais juridiques, dépositaire, sans les répercuter sur le fonds en supplément.

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Une entreprise intègre l’univers, si elle tire au moins 25 % de ses revenus d’activités liées à la mémoire informatique, ou si le gérant juge que la mémoire représente un positionnement stratégique déterminant.

Le fonds peut investir dans des sociétés de toute capitalisation et dans des marchés développés hors États-Unis. Il exclut en revanche les actions A chinoises ainsi que les titres cotés directement à Taïwan ou en Corée du Sud, avec un plafond de 20 % d’exposition aux marchés émergents.

La mémoire, nouvelle contrainte structurelle de l’IA

En remontant la chaîne d’approvisionnement, le prochain goulet d'étranglement sont les infrastructures d’intelligence artificielle (IA), mais la capacité et la bande passante mémoire

Chaque nouvelle génération d’accélérateurs, des unités de traitement graphique Nvidia aux puces ASIC développées en interne par les hyperscalers, exige des volumes de HBM nettement supérieurs à la génération précédente, sans que l’offre ne soit en mesure de suivre à court terme.

Selon une analyse de JEDEC, l’organisme de normalisation régissant les spécifications HBM, la croissance de la demande de 130 % en 2025 et de 70 % en 2026 a maintenu l’offre sous tension tout au long de cette période, sous l’effet de la généralisation de l’IA générative, des grands modèles de langage et des accélérateurs GPU nécessitant une bande passante mémoire sans précédent.

L’entraînement et l’inférence en IA/ML représentent à eux seuls plus de 55 % de la demande totale de mémoire HBM en 2026. Les accélérateurs GPU modernes, tels que les séries NVIDIA H200 et AMD MI350, nécessitent une bande passante, que seule la HBM peut satisfaire à l'échelle industrielle.

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La forte hausse de la demande est structurelle, et non conjoncturelle. Comme l’ont souligné les analyses de tendances technologiques de l’Organisation Mondiale de la Propriété Intellectuelle (OMPI), l’investissement dans le matériel d’IA représente un engagement à long terme : une fois qu’un hyperscaler ou un fournisseur de cloud conçoit un accélérateur autour d’une génération spécifique de mémoire HBM, l’architecture mémoire est figée pour tout le cycle de vie du produit.

Micron prévoit que le marché potentiel total des mémoires HBM atteindra environ 100 milliards de dollars d’ici 2028, contre environ 35 milliards de dollars en 2025. Cela représente un taux de croissance annuel composé proche de 40 %. Le cap des 100 milliards de dollars serait alors franchi deux ans plus tôt que prévu, les analystes tablaient initialement sur 2030.

Un oligopole sous pression

Trois entreprises, SK Hynix, Samsung Electronics et Micron Technology, constituent un oligopole de fait sur l’approvisionnement mondial en HBM. SK Hynix détient une part de marché de 62 % au deuxième trimestre 2025, ayant sécurisé des accords de fourniture exclusifs avec Nvidia pour le HBM3E intégré dans les séries H100 et H200.

Samsung détient 17 % et a achevé la validation du HBM3E en 2025 avec un démarrage en production de masse. Micron détient 21 % et livre déjà des configurations HBM3E en empilements de 8 et 12 couches.

Il est important de préciser que HMBX ne pourra pas investir dans Samsung Electronics, ni SK Hynix.

Dans son rapport complet publié fin avril 2026, Samsung a averti que des pénuries significatives sur l’ensemble des produits mémoire devraient persister au moins jusqu’en 2027, les taux de satisfaction de la demande étant tombés à des niveaux historiquement bas alors que les clients cherchent à sécuriser leurs approvisionnements futurs.

SK Hynix avait émis un avertissement similaire quelques jours plus tôt.

Ces pénuries sont principalement dues aux besoins en infrastructures d’intelligence artificielle. Les systèmes d’IA modernes nécessitent d'énormes quantités de mémoire à haut débit pour alimenter en continu les GPU et les accélérateurs.

Pour faire face à la crise, les entreprises augmentent considérablement leurs capacités de production et leurs investissements dans les technologies d’encapsulation avancées et la fabrication de mémoires.

Selon le Korea Times, des documents réglementaires récents indiquent que Samsung Electronics a investi 465,4 milliards de wons dans son usine de puces mémoire de Xi’an en 2025, soit une hausse de 67,5 % par rapport à l’année précédente. SK hynix a également fortement augmenté ses dépenses, investissant 581,1 milliards de wons dans ses installations de Wuxi et 440,6 milliards de wons dans ses activités de Dalian.

Cependant, les usines de fabrication de semi-conducteurs et les installations d’encapsulation de mémoire avancées mettent des années à se développer et à monter en puissance, ce qui signifie que la croissance de l’offre ne peut pas rattraper le rythme de la demande générée par l’IA.

En outre, la demande croissante liée à l’IA redessine le marché de la mémoire, et les prix de la mémoire HBM3E devraient augmenter face à une offre de plus en plus restreinte.

Selon Chosun Biz, à la suite de l’autorisation accordée à NVIDIA de vendre ses puces IA H200 à la Chine, des sources indiquent que Samsung Electronics et SK hynix ont augmenté leurs prix d’approvisionnement en HBM3E de près de 20 % pour 2026.

Un supercycle sur l’ensemble de la filière

D’après les statistiques mondiales du commerce des semi-conducteurs (WSTS), le marché mondial des semi-conducteurs devrait croître de plus de 25 % en 2026 par rapport à l’année précédente, pour atteindre environ 975 milliards de dollars, le segment de la mémoire affichant une croissance de 30 %.

Bank of America qualifie 2026 de « supercycle comparable au boom des années 1990 », avec une progression attendue des revenus DRAM mondiaux de 51 % et du NAND de 45 % en glissement annuel, les prix de vente moyens progressant respectivement de 33 % et 26 %.

BofA estime le marché HBM 2026 à 54,6 milliards de dollars, soit une hausse de 58 % sur un an, et Goldman Sachs anticipe que la demande de HBM pour les puces ASIC d’IA sur commande bondira de 82 %, représentant un tiers du marché total.

L’année 2026 est considérée comme celle où la mémoire HBM3E s’imposera comme la référence du marché, tandis que la mémoire HBM4 et les mémoires à usage général traceront la voie de la croissance à moyen et long terme.