KraneShares met au point un ETF ciblant les géants asiatiques de l’IA

KraneShares a annoncé le 19 août le lancement à la Bourse de New York de son nouvel ETF, KraneShares Asia AI Technology (KAIT), conçu pour offrir une exposition aux entreprises asiatiques jugées incontournables dans la fabrication du matériel d’intelligence artificielle : fonderie et encapsulation avancée de semi-conducteurs, mémoire à haute bande passante (HBM), substrats, réseaux optiques, infrastructures de centres de données, équipements et matériaux spécialisés.

L’argument central défendu par KraneShares pour justifier le lancement de KAIT est que la concentration géographique de ces capacités critiques, offre une exposition à la croissance de l’IA indépendante du succès de tel ou tel modèle ou de telle ou telle application.

« Environ 75 % de la capacité mondiale en semi-conducteurs et de l’approvisionnement en matériaux est concentrée en Asie, tandis que la Chine, Taïwan et la Corée à eux seuls représentent près de 79 % des dépenses mondiales en équipements de fabrication de semi-conducteurs », a déclaré Derek Yan, stratège principal en investissement chez KraneShares.

Taïwan, le verrou de la fonderie avancée

Le premier pilier de cette thèse est taïwanais. TSMC a capté environ 72% du chiffre d’affaires total des dix principaux prestataires mondiaux de services de fonderie en 2025, contre environ 55% cinq ans plus tôt, selon S&P Global Ratings, une échelle de revenus désormais près de neuf fois supérieure à celle de son concurrent le plus proche.

Sur les nœuds les plus avancés, la domination confine au quasi-monopole : le fondeur taïwanais concentre plus de 90 % des capacités mondiales de production dans les technologies de 7 nanomètres et moins, le reste se trouvant chez Samsung, selon une étude du BCG pour la Semiconductor Industry Association citée par L’Usine Nouvelle.

Cette position s’est encore renforcée avec l’essor de la demande liée à l’IA : les ventes de puces pour le calcul haute performance sont devenues, dès 2024, la première source de revenus du groupe, dépassant celles destinées aux smartphones, selon une note de la direction générale du Trésor français.

Ce leadership s'étend désormais à l'étape la plus critique de la chaîne, l’encapsulation avancée. Une puce logique gravée ne devient un accélérateur d’IA opérationnel qu’une fois assemblée avec plusieurs empilements de mémoire HBM sur un même support, c’est le rôle de la technologie CoWoS de TSMC.

Cette étape d’assemblage s’est révélée plus difficile à faire monter en cadence que la gravure elle-même, si bien qu’elle est devenue le principal facteur limitant de la production de puces d’IA. Même lorsque les wafers gravés sont disponibles en nombre suffisant, ils ne peuvent être transformés en puces livrables faute de capacité d’encapsulation.

Les lignes CoWoS restent réservées à plus de 85% de leur capacité par une poignée de très grands clients, au premier rang desquels Nvidia, avec des délais d’attente de l’ordre de 52 à 78 semaines selon les estimations d’analystes du secteur.

Sa capacité mensuelle, qui n'était que d’environ 13 000 plaquettes par mois fin 2023, devrait dépasser 120 000 à 130 000 plaquettes par mois d’ici la fin de 2026, soit une multiplication par près de dix en trois ans.

Au-delà du seul assemblage, Taïwan pèse aussi lourdement sur l’infrastructure physique des centres de données pour l’IA : les industriels taïwanais tels que Foxconn, Quanta et Wistron détiendraient environ 90% de parts de marché mondial sur la fabrication des serveurs et datacenters pour l’IA, selon la direction générale du Trésor.

La Corée du Sud, gardienne de la mémoire HBM

Le deuxième socle de la thèse d’investissement asiatique se trouve en Corée du Sud, où se concentre 90 % de la production de la mémoire à haute bande passante, composant devenu tout aussi critique que le calcul lui-même pour l’entraînement des modèles d’IA.

SK Hynix conservait, au premier trimestre 2026, une position dominante avec une part de marché comprise entre 56% et 58%, Samsung et l’américain Micron se partageant l’essentiel du solde. Selon les analystes d’UBS, cette hiérarchie pourrait toutefois s'équilibrer d’ici 2027, Samsung étant en voie de rattraper la part de marché de SK Hynix sur la HBM à la faveur d’investissements soutenus.

Dans les deux cas, le pôle de gravité de cette industrie reste résolument coréen. Les deux groupes ont engagé, selon les analystes de marché, la phase d’expansion de capacité la plus intensive en capital de l’histoire de l’industrie de la mémoire entre 2025 et 2027, avec des hausses de capacité HBM de l’ordre de 50% visées par Samsung d’ici fin 2026.

Un marché des équipements concentré en Asie

Au-delà des deux géants industriels que sont Taïwan et la Corée, c’est l’ensemble de la chaîne des équipements de production qui reste ancré en Asie.

Selon les données publiées en avril par SEMI, l’association professionnelle mondiale du secteur, les ventes mondiales d'équipements de fabrication de semi-conducteurs ont bondi de 15 % en 2025, à 135,1 milliards de dollars, et la Chine, Taïwan et la Corée ont représenté ensemble 79 % du marché mondial, contre 74 % en 2024.

Les dépenses taïwanaises en équipements ont bondi de 90 % sur un an, à un record de 31,5 milliards de dollars, portées par l’expansion de capacité liée à l’IA et au calcul haute performance, tandis que la Corée a progressé de 26 %, à 25,8 milliards, sous l’effet des investissements dans la HBM et la DRAM.

Le Japon, de son côté, a perdu son rang de puissance de fabrication de semi-conducteurs qu’il occupait dans les années 1980-1990, mais conserve une position de force dans les matériaux et équipements amont indispensables à toute la chaîne : photorésines EUV, plaquettes de silicium de haute pureté, produits chimiques de spécialité.

Shin-Etsu Chemical et SUMCO, tous deux basés à Tokyo, comptent parmi les tout premiers fournisseurs mondiaux de wafers de silicium, tandis que Tokyo Electron demeure l’un des tout premiers équipementiers mondiaux, concurrent direct du néerlandais ASML sur certains segments de la lithographie.